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LND150N3-G规格书详情
General Description
The LND150 is a high voltage N-channel depletion mode (normally-on) transistor utilizing Supertex’s lateral DMOS technology. The gate is ESD protected.
The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplifcation.
特性 Features
► Free from secondary breakdown
► Low power drive requirement
► Ease of paralleling
► Excellent thermal stability
► Integral source-drain diode
► High input impedance and low CISS
► ESD gate protection
Applications
► Solid state relays
► Normally-on switches
► Converters
► Power supply circuits
► Constant current sources
► Input protection circuits
产品属性
- 型号：
LND150N3-G
- 功能描述：
MOSFET 500V 1KOhm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SUPERTEX |
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NA/ |
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SUPERTEX |
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SUPERTEX |
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MICROCHIP(美国微芯) |
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MICROCHIP/微芯 |
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