LNA2603F中文资料PDF规格书
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LNA2603F规格书详情
GaAs Infrared Light Emitting Diode
For optical control systems
Features
● High-power output, high-efficiency : PO = 6 mW (typ.)
● Emitted light spectrum suited for silicon photodetectors :
λP = 940 nm (typ.)
● Long lifetime, high reliability
● Thin side-view type package
产品属性
- 产品编号:
LNA2603F
- 制造商:
Panasonic Electronic Components
- 类别:
光电器件 > LED 发射器 - 红外,紫外,可见光
- 包装:
散装
- 类型:
红外(IR)
- 电流 - DC 正向 (If)(最大值):
100mA
- 不同 If 时最小辐射强度 (Ie):
3mW/sr @ 100mA
- 波长:
940nm
- 电压 - 正向 (Vf)(典型值):
1.3V
- 视角:
160°
- 方向:
侧视图
- 工作温度:
-25°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
径向
- 描述:
EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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模块 |
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TOSHIBA/东芝 |
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DIP |
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