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LN55
厂商型号

LN55

功能描述

GaAs Infrared Light Emitting Diode

文件大小

38.03 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Panasonic Semiconductor
企业简称

PANASONIC松下

中文名称

松下电器官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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LN55规格书详情

GaAs Infrared Light Emitting Diode

For optical control systems

特性 Features

● High-power output, high-efficiency : PO = 3.5 mW (typ.)

● Suited for use with silicon photodetectors

● Infrared light emission close to monochromatic light : λP = 950 nm (typ.)

● High-speed modulation capability

产品属性

  • 型号:

    LN55

  • 功能描述:

    IR LED 950NM 35 DEG SIDE VIEW

  • RoHS:

  • 类别:

    光电元件 >> 红外发射极

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,200

  • 系列:

    - 电流 - DC

  • 正向(If):

    100mA

  • 辐射强度(le)最小值@正向电流:

    27mW/sr @ 100mA

  • 波长:

    940nm

  • 正向电压:

    1.6V

  • 视角:

    40°

  • 方向:

    顶视图

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    径向

  • 包装:

    带卷(TR)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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