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TPN12008QM	文件：496.75 Kbytes Page：9 Pages	SiliconN-channelMOS(U-MOS-H) 1.Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers 2.Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=6.5nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=21.1nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=9.6mΩ(typ.)(VG	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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TPN12008QM

文件：496.75 Kbytes

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SiliconN-channelMOS(U-MOS-H)

1.Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers 2.Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=6.5nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=21.1nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=9.6mΩ(typ.)(VG

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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