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LMV712IDGST	文件：190.89 Kbytes Page：11 Pages	LOW-POWER LOW-NOISE HIGH-OUTPUT RRIO DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMV712IDGSTG4	文件：190.89 Kbytes Page：11 Pages	LOW-POWER LOW-NOISE HIGH-OUTPUT RRIO DUAL OPERATIONAL AMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMV712LD	文件：505.64 Kbytes Page：14 Pages	LowPower,LowNoise,HighOutput,RRIODualOperationalAmplifierwithIndependentShutdown	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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LMV712LD/NOPB	文件：1.15933 Mbytes Page：24 Pages	LowPower,LowNoise,HighOutput,RRIODualOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMV712LDSLASHNOPB	文件：1.15933 Mbytes Page：24 Pages	LowPower,LowNoise,HighOutput,RRIODualOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
LMV712IDGST
功能描述：
运算放大器 - 运放 Low-Pwr Low-Noise Hi-Out RRIO Dual
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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