LMR54450-Q1数据手册TI中文资料规格书

描述 Description

LMR54450 -Q1 和 LMR54430 -Q1 是高输出电流 PWM 转换器，集成了低电阻高侧 N 沟道 MOSFET。集成的功能包括高性能误差放大器（可在瞬态条件下提供高稳压精度）、欠压锁定电路（用于防止在输入电压达到 5.5V 前启动）、内部设置的软启动电路（用于限制浪涌电流）以及电压前馈电路（用于改进瞬态响应）。通过使用 EN 引脚，关断电源电流通常可减少到 13µA。其他特性包括高电平有效使能端、过流限制、过压保护和热关断。为降低设计复杂性并减少外部组件数量，反馈环路进行了内部补偿。

LMR54450 -Q1 和 LMR54430 -Q1 器件采用热增强型 8 引脚 SOIC PowerPAD 封装。TI 提供评估模块和软件工具，有助于实现高性能电源设计，可满足迫切的器件开发周期要求。

特性 Features

• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
• 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围

• 提供功能安全
• 可提供用于功能安全系统设计的文档

• 5.5V 至 36V 的宽输入电压范围
• 高达 5A 的持续（峰值为 6A）输出电流
• 通过 85mΩ 集成 MOSFET 开关实现大于 90% 的高效率
• 宽输出电压范围：可调节为低至 1.22V，初始精度为 1.5%
• 内部补偿最大限度地减少了外部器件数量
• 适用于小型滤波器尺寸的固定 400kHz 低于 MW 频段开关频率
• 13µA 关断电源电流（典型值）
• 通过输入电压前馈改进线路调整和瞬态响应
• 系统受过流限制、过压保护和热关断的保护
• –40°C 至 150°C 的工作结温范围
• 采用小型热增强型 8 引脚 SOIC PowerPAD™ 封装