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MBR5200	文件：1.44883 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES Metal-semiconductorjunctionwithguardring Epitaxialconstruction Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses Highsurgecapability Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfree wheeling,andpolarityprotectionapplications TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG
MBR5200DS	文件：2.44821 Mbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyRectifiers	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司	JUXING
MBR5200DS	文件：477.21 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifier FEATURES ♦Highcurrentcapability ♦Lowforwardvoltagedrop ♦Highsurgecapability ♦Hightemperaturesolderingguaranteed ♦Mountingposition:any ♦LeadfreeincomplywithEURoHS2011/65/EUdirectives	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MBR5200G	文件：146.9 Kbytes Page：2 Pages	5.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE 5.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE ●SchottkyBarrierChip ●IdeallySuitedforAutomaticAssembly ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●ForUseinLowVoltageApplication ●GuardRingDieConstruction ●PlasticCaseMaterialhasULFlammabilityClassificationRating94V-O	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR5200G	文件：1.65802 Mbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Forthroughholeapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Lowpowerloss,Highefficiency •Highsurgecapacity •Foruseinlowvoltagehighfrequencyinverters,freewheeling,a	DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司	DYELEC
MBR5200VS	文件：2.44821 Mbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyRectifiers	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司	JUXING
MBRD5200	文件：155.52 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER Features: •150°CTJoperation •Centertapconfiguration •Lowforwardvoltagedrop •Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationforenhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance •Highfrequencyoperation •Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability •This	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
MBRD5200	文件：1.70681 Mbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MBRD5200	文件：744.11 Kbytes Page：3 Pages	5AmpSchottkyBarrierRectifier200Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBRD5200	文件：1.78795 Mbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERDIODES FEATURES ●Highcurrentcapability ●Lowforwardvoltagedrop ●Lowpowerloss,highefficiency ●Highsurgecapability ●Hightemperaturesolderingguaranteed ●Mountingposition:any	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE

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产品属性

产品编号：
LMG5200MOFR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 全半桥驱动器
包装：
托盘
输出配置：
半桥
应用：
同步降压转换器
接口：
逻辑
负载类型：
电感
技术：
NMOS
导通电阻（典型值）：
15 毫欧 LS，15 毫欧 HS
电流 - 输出/通道：
10A
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
电压 - 负载：
80V
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
特性：
自举电路
故障保护：
UVLO
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
9-QFN
供应商器件封装：
9-QFN（8x6）
描述：
IC HALF-BRIDGE DRIVER GAN 9QFM

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