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LMC662CN/NOPB	文件：1.20729 Mbytes Page：23 Pages	LMC662CMOSDualOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMC662CNSLASHNOPB	文件：1.20729 Mbytes Page：23 Pages	LMC662CMOSDualOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMC662EM	文件：430.61 Kbytes Page：13 Pages	CMOSDualOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC662EN	文件：430.61 Kbytes Page：13 Pages	CMOSDualOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LPC662	文件：585.9 Kbytes Page：16 Pages	LowPowerCMOSDualOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LPC662	文件：644.85 Kbytes Page：20 Pages	LPC662LowPowerCMOSDualOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LPC662	文件：644.1 Kbytes Page：20 Pages	LPC662LowPowerCMOSDualOperationalAmplifier GeneralDescription TheLPC662CMOSDualoperationalamplifierisidealfor operationfromasinglesupply.Itfeaturesawiderangeof operatingvoltagefrom+5Vto+15V,rail-to-railoutputswing inadditiontoaninputcommon-moderangethatincludes ground.Performancelimitationsthatha	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
LPC662AIM	文件：585.9 Kbytes Page：16 Pages	LowPowerCMOSDualOperationalAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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详细参数

型号：
LMC662AIM/NOPB
功能描述：
运算放大器 - 运放 CMOS DUAL OP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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