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LM8207MTX	文件：1.3934 Mbytes Page：22 Pages	TFT 18 Gamma Buffer VCOM Driver Voltage Reference	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM8207MTX/NOPB	文件：1.47058 Mbytes Page：32 Pages	LM8207 TFT 18 Gamma Buffer VCOM Driver Voltage Reference	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LM8207MTXSLASHNOPB	文件：1.47058 Mbytes Page：32 Pages	LM8207 TFT 18 Gamma Buffer VCOM Driver Voltage Reference	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
MHW8207A	文件：244.92 Kbytes Page：4 Pages	GalliumArsenideCATVAmplifierModule TheRFLine GalliumArsenideCATVAmplifierModule Description •24VdcSupply,47to870MHz,CATVGaAsForwardPowerDoublerAmplifierModule Features •Specifiedfor79-and112-ChannelLoading •ExcellentDistortionPerformance •HigherOutputCapability •Built-inInputDiodeProtecti	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MIS8207	文件：436.66 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelMOSFET FEATURES •Halogen-freeOptionAvailable •TrenchFET®PowerMOSFETs •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NGB8207ABN	文件：252.72 Kbytes Page：7 Pages	Gate?묮mitterESDProtection	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
NGB8207ABN	文件：125.9 Kbytes Page：7 Pages	IgnitionIGBT20A,365V,N.ChannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGB8207AN	文件：153.96 Kbytes Page：7 Pages	IgnitionIGBT20A,365V,N?묬hannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NGB8207BN	文件：267.21 Kbytes Page：7 Pages	Gate?묮mitterESDProtection	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
NGB8207BN	文件：132.09 Kbytes Page：7 Pages	IgnitionIGBT20A,365V,N.ChannelD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
LM8207MTX
功能描述：
LCD 驱动器
RoHS：
否
制造商：
Maxim Integrated
数位数量：
4.5
片段数量：
30
最大时钟频率：
19 KHz
工作电源电压：
3 V to 3.6 V
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 20 C
封装/箱体：
PDIP-40
封装：
Tube

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