MOSFET场效应管

The LM5D50P03 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a\n\nBattery protection or in other Switching application. • VDS = -30V ID =-50A\n• RDS(ON)< 13mΩ @ VGS=-10V;

Leiditech

雷卯电子

丝印：AP50P03NF；Package：DFN5X6-8L；30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：3.79294 Mbytes 页数：5 Pages

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雷卯电子

SOD-523

LRC

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N/A

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金升阳

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电源模块

MORNSUN

金升阳

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