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LM5112SD集成电路(IC)栅极驱动器规格书PDF中文资料

LM5112SD
厂商型号

LM5112SD

参数属性

LM5112SD 封装/外壳为6-WDFN 裸露焊盘;包装为管件;类别为集成电路(IC) > 栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON

功能描述

Tiny 7A MOSFET Gate Driver
IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON

文件大小

935.03 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 Texas Instruments
企业简称

TI德州仪器

中文名称

美国德州仪器公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-15 22:30:00

LM5112SD规格书详情

LM5112SD属于集成电路(IC) > 栅极驱动器。美国德州仪器公司制造生产的LM5112SD栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

产品属性

  • 产品编号:

    LM5112SD

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    3.5V ~ 14V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.3V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    3A,7A

  • 输入类型:

    反相,非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    14ns,12ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    6-WSON(3x3)

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON

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