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LM5110-2MX

LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability

文件:876.93 Kbytes 页数:18 Pages

TI

德州仪器

LM5110-2MX

Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability

文件:269.92 Kbytes 页数:13 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LM5110-2MX/NOPB

Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability

文件:960.51 Kbytes 页数:20 Pages

TI

德州仪器

LM5110-2MXSLASHNOPB

Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability

文件:960.51 Kbytes 页数:20 Pages

TI

德州仪器

LM5110-2M

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

TI2

德州仪器

LM5110-2MX

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

TI2

德州仪器

LM5110-2MX/NOPB

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

TI2

德州仪器

产品属性

  • 产品编号:

    LM5110-2M

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    3.5V ~ 14V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    3A,5A

  • 输入类型:

    反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    14ns,12ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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更多LM5110-2M供应商 更新时间2025-10-9 16:45:00