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LM5110-2M/NOPB集成电路（IC）栅极驱动器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
LM5110-2M/NOPB |
| 参数属性 | LM5110-2M/NOPB 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC） > 栅极驱动器；产品描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
| 功能描述 | Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability |
| 文件大小 |
960.51 Kbytes |
| 页面数量 |
20 页 |
| 生产厂商 | Texas Instruments |
| 企业简称 |
TI【德州仪器】 |
| 中文名称 | 美国德州仪器公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-30 8:18:00 |
LM5110-2M/NOPB规格书详情
LM5110-2M/NOPB属于集成电路（IC） > 栅极驱动器。美国德州仪器公司制造生产的LM5110-2M/NOPB栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。
产品属性
- 产品编号：
LM5110-2M/NOPB
- 制造商：
Texas Instruments
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置：
低端
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
3.5V ~ 14V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
3A，5A
- 输入类型：
反相
- 上升/下降时间（典型值）：
14ns，12ns
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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