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LM5110-1SD	文件：876.93 Kbytes Page：18 Pages	LM5110 Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability 文件：876.93 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5110-1SD	文件：960.51 Kbytes Page：20 Pages	Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability 文件：960.51 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5110-1SD	文件：269.92 Kbytes Page：13 Pages	Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability 文件：269.92 Kbytes 页数：13 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM5110-1SDSLASHNOPB	文件：773.56 Kbytes Page：29 Pages	LM5110 Dual 5-A Compound Gate Driver With Negative Output Voltage Capability 1 Features 1• Independently Drives Two N-Channel MOSFETs • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation • 5A sink/3A Source Current Capability • Two Channels can be Connected in Parallel to Double the Drive Current • Independent Inputs (TTL Compatible) • Fast Propagati 文件：773.56 Kbytes 页数：29 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5110-1SDSLASHNOPB.A	文件：773.56 Kbytes Page：29 Pages	LM5110 Dual 5-A Compound Gate Driver With Negative Output Voltage Capability 1 Features 1• Independently Drives Two N-Channel MOSFETs • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation • 5A sink/3A Source Current Capability • Two Channels can be Connected in Parallel to Double the Drive Current • Independent Inputs (TTL Compatible) • Fast Propagati 文件：773.56 Kbytes 页数：29 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5110-1SDSLASHNOPB.B	文件：773.56 Kbytes Page：29 Pages	LM5110 Dual 5-A Compound Gate Driver With Negative Output Voltage Capability 1 Features 1• Independently Drives Two N-Channel MOSFETs • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation • 5A sink/3A Source Current Capability • Two Channels can be Connected in Parallel to Double the Drive Current • Independent Inputs (TTL Compatible) • Fast Propagati 文件：773.56 Kbytes 页数：29 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5110-1SDXSLASHNOPB	文件：773.56 Kbytes Page：29 Pages	LM5110 Dual 5-A Compound Gate Driver With Negative Output Voltage Capability 1 Features 1• Independently Drives Two N-Channel MOSFETs • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation • 5A sink/3A Source Current Capability • Two Channels can be Connected in Parallel to Double the Drive Current • Independent Inputs (TTL Compatible) • Fast Propagati 文件：773.56 Kbytes 页数：29 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5110-1SDXSLASHNOPB.A	文件：773.56 Kbytes Page：29 Pages	LM5110 Dual 5-A Compound Gate Driver With Negative Output Voltage Capability 1 Features 1• Independently Drives Two N-Channel MOSFETs • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation • 5A sink/3A Source Current Capability • Two Channels can be Connected in Parallel to Double the Drive Current • Independent Inputs (TTL Compatible) • Fast Propagati 文件：773.56 Kbytes 页数：29 Pages	TI 德州仪器	TI
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LM5110-1SD/NOPB	文件：960.51 Kbytes Page：20 Pages	Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability 文件：960.51 Kbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI

产品属性

产品编号：
LM5110-1SD
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
低端
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
3.5V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
3A，5A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
14ns，12ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
10-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
10-WSON（4x4）
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 10WSON

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