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LM5109MA/NOPB	文件：1.39566 Mbytes Page：24 Pages	High Voltage 1-A Peak Half-Bridge Gate Driver 文件：1.39566 Mbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5109MA/NOPB.A	文件：437.29 Kbytes Page：17 Pages	丝印：L5109MA；Package：SOIC；LM5109 100V/1A Peak Half Bridge Gate Driver 1FEATURES 2• Drives Both a High Side and Low Side N- Channel MOSFET • 1A Peak Output Current (1.0A Sink / 1.0A Source) • Independent TTL Compatible Inputs • Bootstrap Supply Voltage to 118V DC • Fast Propagation Times (27 ns Typical) • Drives 1000 pF Load with 15ns Rise and Fall Times • 文件：437.29 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5109MA/NOPB.B	文件：437.29 Kbytes Page：17 Pages	丝印：L5109MA；Package：SOIC；LM5109 100V/1A Peak Half Bridge Gate Driver 1FEATURES 2• Drives Both a High Side and Low Side N- Channel MOSFET • 1A Peak Output Current (1.0A Sink / 1.0A Source) • Independent TTL Compatible Inputs • Bootstrap Supply Voltage to 118V DC • Fast Propagation Times (27 ns Typical) • Drives 1000 pF Load with 15ns Rise and Fall Times • 文件：437.29 Kbytes 页数：17 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5109MA/NOPB	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	TI 德州仪器	TI

产品属性

产品编号：
LM5109MA/NOPB
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
8V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1A，1A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
15ns，15ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多LM5109MA/NOPB供应商更新时间2025-11-18 10:42:00

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