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LM5109ASDX	文件：844.93 Kbytes Page：18 Pages	High Voltage 1A Peak Half Bridge Gate Driver 文件：844.93 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5109ASDX	文件：796 Kbytes Page：16 Pages	LM5109A High Voltage 1A Peak Half Bridge Gate Driver 文件：796 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5109ASDX	文件：663.52 Kbytes Page：9 Pages	High Voltage 1A Peak Half Bridge Gate Driver 文件：663.52 Kbytes 页数：9 Pages	NSC 国半	NSC
LM5109ASDXSLASHNOPB	文件：1.22354 Mbytes Page：29 Pages	丝印：5109ASD；Package：WSON；LM5109A High Voltage 1A Peak Half Bridge Gate Driver 1 Features 1• Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET • 1A peak Output Current (1.0A Sink / 1.0A Source) • Independent TTL Compatible Inputs • Bootstrap Supply Voltage to 108V DC • Fast Propagation Times (30 ns Typical) • Drives 1000 pF Load with 15ns Rise and Fall Times • E 文件：1.22354 Mbytes 页数：29 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5109ASDXSLASHNOPB.A	文件：1.22354 Mbytes Page：29 Pages	丝印：5109ASD；Package：WSON；LM5109A High Voltage 1A Peak Half Bridge Gate Driver 1 Features 1• Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET • 1A peak Output Current (1.0A Sink / 1.0A Source) • Independent TTL Compatible Inputs • Bootstrap Supply Voltage to 108V DC • Fast Propagation Times (30 ns Typical) • Drives 1000 pF Load with 15ns Rise and Fall Times • E 文件：1.22354 Mbytes 页数：29 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5109ASDXSLASHNOPB.B	文件：1.22354 Mbytes Page：29 Pages	丝印：5109ASD；Package：WSON；LM5109A High Voltage 1A Peak Half Bridge Gate Driver 1 Features 1• Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET • 1A peak Output Current (1.0A Sink / 1.0A Source) • Independent TTL Compatible Inputs • Bootstrap Supply Voltage to 108V DC • Fast Propagation Times (30 ns Typical) • Drives 1000 pF Load with 15ns Rise and Fall Times • E 文件：1.22354 Mbytes 页数：29 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5109ASDX/NOPB	文件：844.93 Kbytes Page：18 Pages	High Voltage 1A Peak Half Bridge Gate Driver 文件：844.93 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5109ASDXSLASHNOPB	文件：844.93 Kbytes Page：18 Pages	High Voltage 1A Peak Half Bridge Gate Driver 文件：844.93 Kbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
LM5109ASDX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-WDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON	TI 德州仪器	TI
LM5109ASDX/NOPB	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-WDFN 裸露焊盘；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON	TI 德州仪器	TI

产品属性

产品编号：
LM5109ASDX
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
8V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1A，1A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
15ns，15ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
8-WSON（4x4）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8WSON

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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