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LM5105SD/NOPB

Half Bridge Gate Driver with Programmable Dead-Time

文件:891.99 Kbytes 页数:19 Pages

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德州仪器

LM5105SD/NOPB.A

丝印:L5105SD;Package:WSON;LM5105 100-V Half-Bridge Gate Driver With Programmable Dead Time

1 Features 1• Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET • 1.8-A Peak Gate Drive Current • Bootstrap Supply Voltage Range up to 118-V DC • Integrated Bootstrap Diode • Single TTL Compatible Input • Programmable Turnon Delays (Dead Time) • Enable Input Pin • Fast Turnoff Propaga

文件:557.94 Kbytes 页数:26 Pages

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LM5105SD/NOPB.B

丝印:L5105SD;Package:WSON;LM5105 100-V Half-Bridge Gate Driver With Programmable Dead Time

1 Features 1• Drives Both a High-Side and Low-Side N-Channel MOSFET • 1.8-A Peak Gate Drive Current • Bootstrap Supply Voltage Range up to 118-V DC • Integrated Bootstrap Diode • Single TTL Compatible Input • Programmable Turnon Delays (Dead Time) • Enable Input Pin • Fast Turnoff Propaga

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LM5105SD/NOPB

Package:10-WDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

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产品属性

  • 产品编号:

    LM5105SD/NOPB

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    8V ~ 14V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    1.8A,1.8A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    15ns,15ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    10-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    10-WSON(4x4)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TI(德州仪器)原装栅极驱动芯片LM5105SD/NOPB即刻询购立享优惠长期有订
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更多LM5105SD/NOPB供应商 更新时间2026-10-18 9:04:00