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MAZ5100	文件：56.26 Kbytes Page：3 Pages	Siliconplanartype Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features •Minipowertypepackage(2-pin) •Allowingautomaticmountingwiththeembosstaping •Sharprisingperformance	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MBR5100	文件：10.72 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYDIESPECIFICATION [Micro-Electro-MagneticalTechCo.] SCHOTTKYDIESPECIFICATION GeneralDescription:100V5A(LowIr)SingleAnode	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MBR5100	文件：61.18 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES ●Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ●Epitaxialconstruction ●Lowforwardvoltagedrop ●Highcurrentcapability ●TheplasticmaterialcarriesULrecognition94V-0 ●Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications	CTC ctconline	CTC
MBR5100	文件：119.77 Kbytes Page：2 Pages	WideTemperatureRangeandHighTjmSchottkyBarrierRectifiers FEATURES Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton Guardringfortransientprotection Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowVF Highsurgecapacity Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewhelling,andpolarityprotectionapplica	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR5100	文件：94.43 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES •EpitaxialConstruction •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop •SurgeOverloadRatingto150APeak •For	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MBR5100	文件：278.533 Kbytes Page：2 Pages	5.0A100VSchottkydiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
MBR5100	文件：140.9 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS	CTC ctconline	CTC
MBR5100	文件：136.3 Kbytes Page：2 Pages	5.0ASCHOTTKYBARRIERDIODE Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●HighCurrentCapability ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCurrentCapability ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
MBR5100	文件：152.34 Kbytes Page：2 Pages	HighTjmLowIRRMSchottkyBarrierDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR5100D	文件：2.44821 Mbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyRectifiers	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司	JUXING

产品属性

产品编号：
LM5100SD/NOPB
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
9V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
3V，8V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.6A，1.6A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
600ns，600ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
10-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
10-WSON（4x4）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

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