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LM4860MSLASHNOPB	文件：1.00475 Mbytes Page：20 Pages	Series 1W Audio Power Amplifier with Shutdown Mode	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LM4860MX	文件：1.00475 Mbytes Page：20 Pages	Series1WAudioPowerAmplifierwithShutdownMode	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LM4860MX/NOPB	文件：1.00475 Mbytes Page：20 Pages	Series1WAudioPowerAmplifierwithShutdownMode	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LM4860MXSLASHNOPB	文件：1.00475 Mbytes Page：20 Pages	Series1WAudioPowerAmplifierwithShutdownMode	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
M4860	文件：383.84 Kbytes Page：1 Pages	Snap-InCordgripStrainReliefs–Straight-ThruandPigtail™	HeycoHeyco. 海科	Heyco
N4860A	文件：1.2867 Mbytes Page：20 Pages	DigRFv3AcquisitionProbe N4850ADigRFv3AcquisitionProbe N4860ADigRFv3StimulusProbe EvaluateandintegrateyourDigRFv3componentsmoreeasily DigRFv3Challenges TheDigRFv3standardpresentsnewchallengesformobilewirelessdevelopment,integrationandvalidationteamsasthecommunicationslinkbetweenth	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
NTD4860	文件：482.46 Kbytes Page：7 Pages	25VN-ChannelMOSFET Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •OptimizedGateChargetoMinimizeSwitchingLosses Applications •VCOREApplications •DC−DCConverters •High/LowSideSwitching VDS(V)=25V ID=65A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
NTD4860N	文件：299.21 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=65A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD4860N	文件：99.88 Kbytes Page：8 Pages	25V,65A,SingleN-Channel,DPAK/IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD4860N	文件：124.14 Kbytes Page：8 Pages	25V,65A,SingleN?묬hannel,DPAK/IPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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