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MM3Z18	文件：1.747805 Mbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
MM3Z18	文件：445.9 Kbytes Page：5 Pages	Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounted Features •TotalPowerDissipation:Max.300mW •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign •StandardZenerBreakdownVoltageRange2.0to75V •Toleranceapproximately±5 •RoHScompliantpackage	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
MM3Z18	文件：109.38 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPlanarZenerDiodes	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MM3Z18	文件：140.95 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES FEATURES: TotalPowerDissipation:Max.300mW Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign StandardZenerBreakdownVoltageRange2.0to75V Toleranceapproximately±5 *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
MM3Z18	文件：254.84 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES SILICONPLANARZENERDIODES Features •Totalpowerdissipation:max.300mW •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign •Toleranceapproximately±5	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MM3Z18	文件：48.99 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountZenerDiodes SurfacemountZenerDiodes •Powerdissipation200mW •NominalZenervoltage2.4...100V •PlasticcaseSOD-323 •Weightapprox.0.005g •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
MM3Z18	文件：526.39 Kbytes Page：5 Pages	200mWSurfaceMountZenerDiode	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MM3Z18	文件：537.22 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPlanarZenerDiodes FEATURES •Totalpowerdissipation:Max.200mW. •Widezenerreversevoltagerange2.0Vto75V. •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign. •Toleranceapproximately±5	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MM3Z18	文件：632.47 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPlanarZenerDiodes SiliconPlanarZenerDiodes Features •Totalpowerdissipation:max.300mW •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign •Toleranceapproximately±5	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
MM3Z18	文件：2.42978 Mbytes Page：4 Pages	0.3WSILICONPLANARZENERDIODES FEATURES Totalpowerdissipation:max.300mW Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign Toleranceapproximately±5% Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secondsatterminals ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC	SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD. 三阳电子三阳电子有限公司	SAMYANG

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