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LM385D-1.2R2G集成电路(IC)的电压基准规格书PDF中文资料

LM385D-1.2R2G
厂商型号

LM385D-1.2R2G

参数属性

LM385D-1.2R2G 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的电压基准;产品描述:IC VREF SHUNT -2.4%/+2.01% 8SOIC

功能描述

Micropower Voltage Reference Diodes
IC VREF SHUNT -2.4%/+2.01% 8SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

文件大小

114.48 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-3 11:20:00

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LM385D-1.2R2G规格书详情

LM385D-1.2R2G属于集成电路(IC)的电压基准。由安森美半导体公司制造生产的LM385D-1.2R2G电压基准产品属于基准电压源系列,可通过相对较不稳定的电源提供稳定的电势,电压值始终保持恒定,以便在测量、控制和类似应用中用作比较的标准。其功能行为可能与用于大功率调节的线性稳压器相似,但基准电压源器件却不适合用于此类用途。用作比较标准时,若输出电流容量或实际负载电流增大,其性能通常会降低。

The LM285/LM385 series are micropower two−terminal bandgap voltage regulator diodes. Designed to operate over a wide current range of 10 A to 20 mA, these devices feature exceptionally low dynamic impedance, low noise and stable operation over time and temperature. Tight voltage tolerances are achieved by on−chip trimming. The large dynamic operating range enables these devices to be used in applications with widely varying supplies with excellent regulation. Extremely low operating current make these devices ideal for micropower circuitry like portable instrumentation, regulators and other analog circuitry where extended battery life is required.

特性 Features

•Operating Current from 10 A to 20 mA

•1.0, 1.5, 2.0 and 3.0 Initial Tolerance Grades

•Low Temperature Coefficient

•1.0 Dynamic Impedance

•Surface Mount Package Available

•Pb−Free Packages are Available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    LM385D-1.2R2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    集成电路(IC) > 电压基准

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 参考类型:

    分流器

  • 输出类型:

    固定

  • 电压 - 输出(最小值/固定):

    1.235V

  • 容差:

    -2.4%,+2.01%

  • 温度系数:

    标准为 80ppm/°C

  • 噪声 - 10Hz 至 10Hz:

    60µVrms

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC VREF SHUNT -2.4%/+2.01% 8SOIC

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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