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LM385BM-1.2

Micropower Voltage Reference Diode

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LM385BM-1.2

Micropower Voltage Reference Diode

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LM385BM-1.2

Micropower Voltage Reference Diode

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LM385BM-1.2

LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode

TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

LM385BM-1.2

包装:剪切带(CT)带盒(TB) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 类别:集成电路(IC) 电压基准 描述:IC VREF SHUNT 1% 8SOIC

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

LM385BM-1.2/NOPB

LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode

TI1Texas Instruments(TI)

德州仪器德州仪器 (TI)

LM385BM-1.2/NOPB

包装:管件 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 类别:集成电路(IC) 电压基准 描述:IC VREF SHUNT 1% 8SOIC

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

产品属性

  • 产品编号:

    LM385BM-1.2

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 电压基准

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 参考类型:

    分流器

  • 输出类型:

    固定

  • 电压 - 输出(最小值/固定):

    1.235V

  • 容差:

    ±1%

  • 温度系数:

    150ppm/°C

  • 噪声 - 10Hz 至 10Hz:

    60µVrms

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC VREF SHUNT 1% 8SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NS/TI
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6000
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更多LM385BM-1.2供应商 更新时间2024-5-2 13:38:00