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LM385BD-1.2G集成电路（IC）的电压基准规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
LM385BD-1.2G |
| 参数属性 | LM385BD-1.2G 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC）的电压基准；产品描述：IC VREF SHUNT 1% 8SOIC |
| 功能描述 | Micropower Voltage Reference Diodes |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 文件大小 |
79.77 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-10 23:00:00 |
| 人工找货 | LM385BD-1.2G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
LM385BD-1.2G规格书详情
LM385BD-1.2G属于集成电路（IC）的电压基准。由安森美半导体制造生产的LM385BD-1.2G电压基准产品属于基准电压源系列，可通过相对较不稳定的电源提供稳定的电势，电压值始终保持恒定，以便在测量、控制和类似应用中用作比较的标准。其功能行为可能与用于大功率调节的线性稳压器相似，但基准电压源器件却不适合用于此类用途。用作比较标准时，若输出电流容量或实际负载电流增大，其性能通常会降低。
The LM285/LM385 series are micropower two−terminal bandgap voltage regulator diodes. Designed to operate over a wide current range of 10 A to 20 mA, these devices feature exceptionally low dynamic impedance, low noise and stable operation over time and temperature. Tight voltage tolerances are achieved by on−chip trimming. The large dynamic operating range enables these devices to be used in applications with widely varying supplies with excellent regulation. Extremely low operating current make these devices ideal for micropower circuitry like portable instrumentation, regulators and other analog circuitry where extended battery life is required.
特性 Features
•Operating Current from 10 A to 20 mA
•1.0, 1.5, 2.0 and 3.0 Initial Tolerance Grades
•Low Temperature Coefficient
•1.0 Dynamic Impedance
•Surface Mount Package Available
•Pb−Free Packages are Available
产品属性
更多- 产品编号：
LM385BD-1.2G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
集成电路（IC） > 电压基准
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 参考类型：
分流器
- 输出类型：
固定
- 电压 - 输出（最小值/固定）：
1.235V
- 容差：
±1%
- 温度系数：
标准为 80ppm/°C
- 噪声 - 10Hz 至 10Hz：
60µVrms
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC VREF SHUNT 1% 8SOIC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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