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LM358DR	文件：4.01427 Mbytes Page：62 Pages	Industry-StandardDualOperationalAmplifiers 1Features •Widesupplyrangeof3Vto36V(B,BAversions) •Quiescentcurrent:300μA/ch(B,BAversions) •Unity-gainbandwidthof1.2MHz(B,BAversions) •Common-modeinputvoltagerangeincludes ground,enablingdirectsensingnearground •2-mVinputoffsetvoltagemax.at25°C(B	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LM358DR	文件：4.01299 Mbytes Page：62 Pages	Industry-StandardDualOperationalAmplifiers 1Features •Widesupplyrangeof3Vto36V(B,BAversions) •Quiescentcurrent:300μA/ch(B,BAversions) •Unity-gainbandwidthof1.2MHz(B,BAversions) •Common-modeinputvoltagerangeincludes ground,enablingdirectsensingnearground •2-mVinputoffsetvoltagemax.at25°C(B	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LM358DT	文件：271.7 Kbytes Page：16 Pages	LowPowerDualOperationalAmplifiers Description Thesecircuitsconsistoftwoindependent,highgain,internallyfrequency-compensatedop-ampswhicharedesignedspecificallytooperatefromasinglepowersupplyoverawiderangeofvoltages.Thelowpowersupplydrainisindependentofthemagnitudeofthepowersupplyvoltage.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
LM358DT	文件：354.5 Kbytes Page：6 Pages	SILICONMONNOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT Description TheUniversalStandardfamilyLM358/324,LM2904/2902monolithicICsintegratetwoindependentop-ampsandphasecompensationcapacitorsonasinglechip andfeaturehigh-gain,lowpowerconsumption,andanoperatingvoltagerangeof3[V]to32[V](singlepowersupply.) Features	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
LM358DT	文件：318.8 Kbytes Page：20 Pages	Lowpowerdualoperationalamplifiers	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
LM358DT	文件：323.1 Kbytes Page：19 Pages	Lowpowerdualoperationalamplifiers	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
LM358DT	文件：974.27 Kbytes Page：18 Pages	SIGNATURESERIESOperationalAmplifiers	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
LM358DT	文件：1.07811 Mbytes Page：25 Pages	Low-powerdualoperationalamplifiers Features Frequencycompensationimplementedinternally LargeDCvoltagegain:100dB Widebandwidth(unitygain):1.1MHz(temperaturecompensated) Verylowsupplycurrentperchannelessentiallyindependentofsupplyvoltage Lowinputbiascurrent:20nA(temperaturecompensated) Lowinput	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
LM358DT	文件：276.79 Kbytes Page：16 Pages	LowPowerDualOperationalAmplifiers ■Internallyfrequencycompensated ■LargeDCvoltagegain:100dB ■Widebandwidth(unitygain):1.1mHz (temperaturecompensated) ■Verylowsupplycurrent/op(500μA)essentially independentofsupplyvoltage ■Lowinputbiascurrent:20nA (temperaturecompensated) ■Lowinputoffsetvolta	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
LM358E	文件：376.52 Kbytes Page：16 Pages	SingleSupplyDualOperationalAmplifiers UtilizingthecircuitdesignsperfectedforQuadOperational Amplifiers,thesedualoperationalamplifiersfeaturelowpowerdrain, acommonmodeinputvoltagerangeextendingtoground/VEE,and singlesupplyorsplitsupplyoperation.TheLM358seriesis equivalenttoone−halfofanLM324. T	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
LM358D-P
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

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