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LM358AN	文件：276.79 Kbytes Page：16 Pages	丝印：LM358AN；Package：DIP-8；Low Power Dual Operational Amplifiers ■ Internally frequency compensated ■ Large DC voltage gain: 100dB ■ Wide bandwidth (unity gain): 1.1mHz (temperature compensated) ■ Very low supply current/op (500μA) essentially independent of supply voltage ■ Low input bias current: 20nA (temperature compensated) ■ Low input offset volta 文件：276.79 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
LM358AN	文件：276.79 Kbytes Page：16 Pages	丝印：LM358AN；Package：DIP-8；Low Power Dual Operational Amplifiers ■ Internally frequency compensated ■ Large DC voltage gain: 100dB ■ Wide bandwidth (unity gain): 1.1mHz (temperature compensated) ■ Very low supply current/op (500μA) essentially independent of supply voltage ■ Low input bias current: 20nA (temperature compensated) ■ Low input offset volta 文件：276.79 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
LM358AN	文件：122.67 Kbytes Page：12 Pages	Low power dual operational amplifi DESCRIPTION The 532/358/LM2904 consists of two independent, high gain, internally frequency-compensated operational amplifiers internally frequency-compensated operational amplifiers designed specifically to operate from a single power supply over a wide range of voltages. Operation from dual pow 文件：122.67 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
LM358AN	文件：137.64 Kbytes Page：12 Pages	Dual Operational Amplifier Description The LM2904,LM358/LM358A, LM258/LM258A consist of two independent, high gain, internally frequency compensated operational amplifiers which were designed specifically to operate from a single power supply over a wide range of voltage. Operation from split power supplies is also possibl 文件：137.64 Kbytes 页数：12 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
LM358AN	文件：271.7 Kbytes Page：16 Pages	Low Power Dual Operational Amplifiers Description These circuits consist of two independent, high gain, internally frequency-compensated op-amps which are designed specifically to operate from a single power supply over a wide range of voltages. The low power supply drain is independent of the magnitude of the power supply voltage. 文件：271.7 Kbytes 页数：16 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
LM358AN	文件：318.8 Kbytes Page：20 Pages	Low power dual operational amplifiers 文件：318.8 Kbytes 页数：20 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
LM358AN	文件：323.1 Kbytes Page：19 Pages	Low power dual operational amplifiers 文件：323.1 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
LM358AN	文件：1.66322 Mbytes Page：33 Pages	LM158/LM258/LM358/LM2904 Low Power Dual Operational Amplifiers 文件：1.66322 Mbytes 页数：33 Pages	TI 德州仪器	TI
LM358AN	文件：1.0094 Mbytes Page：25 Pages	Low Power Dual Operational Amplifiers 文件：1.0094 Mbytes 页数：25 Pages	NSC 国半	NSC
LM358AN/NOPB	文件：1.82139 Mbytes Page：36 Pages	Low-Power, Dual-Operational Amplifiers 文件：1.82139 Mbytes 页数：36 Pages	TI 德州仪器	TI

详细参数

型号：
LM358AN
功能描述：
运算放大器 - 运放 Dual Low Power
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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