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LM293DR中文资料比较器数据手册HXY MOSFET规格书

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厂商型号

LM293DR

参数属性

LM293DR 包装为管件管件;类别为集成电路(IC)的比较器;产品描述:IC COMP DUAL OFFSET LV 8SOIC

功能描述

比较器

制造商

HXY MOSFET Shenzhen Huaxuanyang Electronics Co., Ltd.

中文名称

华轩阳电子 深圳市华轩阳电子有限公司

数据手册

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更新时间

2025-11-24 20:07:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :LM293DR

  • 生产厂家

    :HXY MOSFET

  • Input bias current (Ib)

    :25nA

  • Input offset voltage (Vos)

    :5mV

  • Supply Voltage

    :±18/±30

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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