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LM285BYM-1.2

Micropower Voltage Reference Diode

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LM285BYM-1.2

Micropower Voltage Reference Diode

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LM285BYM-1.2

Micropower Voltage Reference Diode

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LM285BYM-1.2/NOPB

LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

LM285BYM-1.2SLASHNOPB

LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference Diode

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

LM285BYM-1.2/NOPB

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:散装 类别:集成电路(IC) 电压基准 描述:IC VREF SHUNT 1% 8SOIC

TI2Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

详细参数

  • 型号:

    LM285BYM-1.2

  • 功能描述:

    基准电压& 基准电流

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 产品:

    Voltage References

  • 拓扑结构:

    Shunt References

  • 参考类型:

    Programmable

  • 输出电压:

    1.24 V to 18 V

  • 初始准确度:

    0.25 %

  • 平均温度系数(典型值):

    100 PPM/C 串联 VREF -

  • 输入电压(最大值):

    串联 VREF -

  • 分流电流(最大值):

    60 mA

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    SOT-23-3L

  • 封装:

    Reel

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更多LM285BYM-1.2供应商 更新时间2025-5-21 15:36:00