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TZ2754C	文件：282.17 Kbytes Page：7 Pages	TuningForkCrystalUnit3.2x1.532.768KHz Features: CeramicSeamWeldPackage ExcellentReliabilityPerformance UltraMiniaturePackage AvailabletoSurfaceMountTechnologyandIRReflowProcess AEC-Q200Compliant MoistureSensitivityLevel(MSL):Level-1 DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx1.5mmcrystalunitfor	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UPA2754GR	文件：210.55 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2754GRisDualN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforLi-ionbatteryprotectioncircuit andpowermanagementapplication. FEATURES •Dualchiptype •Lowon-stateresistance RDS(on)1=14.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=5.5A) RDS(on)2=15.0mΩMAX.(VGS=4.0	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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TZ2754C

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TuningForkCrystalUnit3.2x1.532.768KHz

Features: CeramicSeamWeldPackage ExcellentReliabilityPerformance UltraMiniaturePackage AvailabletoSurfaceMountTechnologyandIRReflowProcess AEC-Q200Compliant MoistureSensitivityLevel(MSL):Level-1 DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx1.5mmcrystalunitfor

TAI-SAW

TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.

TAI-SAW

UPA2754GR

文件：210.55 Kbytes

Page：9 Pages

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2754GRisDualN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforLi-ionbatteryprotectioncircuit andpowermanagementapplication. FEATURES •Dualchiptype •Lowon-stateresistance RDS(on)1=14.5mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=5.5A) RDS(on)2=15.0mΩMAX.(VGS=4.0

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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