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LM27222MX	文件：601.47 Kbytes Page：11 Pages	High-Speed 4.5A Synchronous MOSFET Driver	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM27222MX	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
LM27222MXSLASHNOPB	文件：678.56 Kbytes Page：21 Pages	Package：SOIC；LM27222 High-Speed 4.5A Synchronous MOSFET Driver 1FEATURES 2•AdaptiveShoot-throughProtection •10nsDeadTime •8nsPropagationDelay •30nsMinimumOn-time •0.4ΩPull-downand0.9ΩPull-upDrivers •4.5APeakDrivingCurrent •MOSFETTolerantDesign •5μAQuiescentCurrent •30VMaximumInputVoltageinBuck Configuration •4Vto	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
LM27222MXSLASHNOPB.A	文件：678.56 Kbytes Page：21 Pages	Package：SOIC；LM27222 High-Speed 4.5A Synchronous MOSFET Driver 1FEATURES 2•AdaptiveShoot-throughProtection •10nsDeadTime •8nsPropagationDelay •30nsMinimumOn-time •0.4ΩPull-downand0.9ΩPull-upDrivers •4.5APeakDrivingCurrent •MOSFETTolerantDesign •5μAQuiescentCurrent •30VMaximumInputVoltageinBuck Configuration •4Vto	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
LM27222MXSLASHNOPB.B	文件：678.56 Kbytes Page：21 Pages	Package：SOIC；LM27222 High-Speed 4.5A Synchronous MOSFET Driver 1FEATURES 2•AdaptiveShoot-throughProtection •10nsDeadTime •8nsPropagationDelay •30nsMinimumOn-time •0.4ΩPull-downand0.9ΩPull-upDrivers •4.5APeakDrivingCurrent •MOSFETTolerantDesign •5μAQuiescentCurrent •30VMaximumInputVoltageinBuck Configuration •4Vto	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
LM27222MX/NOPB	文件：843.85 Kbytes Page：16 Pages	LM27222 High-Speed 4.5A Synchronous MOSFET Driver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LM27222MXSLASHNOPB	文件：843.85 Kbytes Page：16 Pages	LM27222 High-Speed 4.5A Synchronous MOSFET Driver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LM27222MX/NOPB	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2

产品属性

产品编号：
LM27222MX
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4V ~ 6.85V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
3A，4.5A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
17ns，12ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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