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UPA2717AGR	文件：274.3 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2717AGRisP-ChannelMOSFieldEffect Transistordesignedforpowermanagementapplicationsof notebookcomputersandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES Lowon-stateresistance RDS(on)1=5.5mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−7.5A) RDS(on)2=8.9mΩMAX.(VGS=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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更多LM2717MTSLASHNOPB供应商更新时间2025-7-29 16:50:00

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