LM193-N数据手册TI中文资料规格书
LM193-N规格书详情
描述 Description
LM193-N 系列由两个独立的精密电压比较器组成,两个比较器的失调电压规格低至 2.0mV(最大值),这些比较器专为在宽电压范围内由单个电源供电而设计。也可以由分离式电源供电,并且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。这些比较器还具有独特的特性:即使由单电源电压供电,输入共模电压范围也包括接地。
应用领域包括限制比较器、简单模数转换器;脉冲、方波和时间延迟发生器;各种 VCO;MOS 时钟计时器;多谐振荡器和高压数字逻辑门。LM193-N 系列可以直接连接 TTL 和 CMOS。由正负电源供电时,LM19-N 系列将直接连接 MOS 逻辑,其低功耗相对于标准比较器具有明显的优势。
LM393 和 LM2903 器件采用 TI 创新的具有 8 个(12 密耳)大凸点的薄 DSBGA 封装。
特性 Features
• 宽电源
• 电压范围:2.0V 至 36V
• 单电源或双电源:±1.0V 至 ±18V
• 极低的电源电流消耗 (0.4mA) - 与电源电压无关
• 低输入偏置电流:25nA
• 低输入失调电流:±5nA
• 最大失调电压:±3mV
• 输入共模电压范围包括接地
• 差分输入电压范围等于电源电压
• 低输出饱和电压:250mV(电流为 4mA)
• 输出电压与 TTL、DTL、ECL、MOS 和 CMOS 逻辑系统兼容
• 采用 8 凸点(12 密耳)DSBGA 封装
• 请参阅 AN-1112 (SNVA009) 中的 DSBGA 注意事项
• 优势
• 高精度比较器
• VOS 温漂更低
• 消除了对双电源的需求
• 允许接近接地检测
• 与所有形式的逻辑兼容
• 具有适用于电池供电的功耗
技术参数
- 制造商编号
:LM193-N
- 生产厂家
:TI
- Output type
:Open-collector
- Propagation delay time (µs)
:0.7
- Vs (Max) (V)
:36
- Vs (Min) (V)
:2
- Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)
:5
- Iq per channel (Typ) (mA)
:0.2
- Input bias current (+/-) (Max) (nA)
:100
- Rail-to-rail
:Out
- Rating
:Military
- Operating temperature range (C)
:-55 to 125
- Features
:—
- VICR (Max) (V)
:34.5
- VICR (Min) (V)
:0
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
23+ |
UFSON-8 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
ST/意法 |
17+ |
8-UFDFN |
15000 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
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STMicroelectronics |
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ST |
22+ |
8-UFSON |
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全新原装,力挺实单 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
UFSON-8 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
25+ |
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ST/意法半导体 |
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UFSON-8 |
30000 |
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ST/意法 |
25+ |
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880000 |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
8-UFDFN |
12800 |
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询价 |