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UPA1770G	文件：66.28 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGDUALP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1770isaP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofportablemachines. FEATURES •Dualchiptype •Lowon-resistance RDS(on)1=37mΩMAX.(VGS=–4.5V,ID=–3.0A) RDS(on)2=39mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–3.0A) R	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
VDX1770	文件：319.32 Kbytes Page：1 Pages	DualE-PlaneTRLimiter	CPICommunications & Power Industries, Inc. Cpi	CPI
VSAB1770	文件：893.23 Kbytes Page：5 Pages	MoldingPowerChoke Outline: ▪AEC-Q200compliant ▪Magneticshieldedstructure:excellentresistancetoelectro Magmeticinterference(EMI) ▪Acompositestructure,ultralowbuzznoise ▪Lowloss,highefficiency,wideapplicationfrequency Features： ▪Corematerial:Alloypowder ▪Coreandwindingloss: See	CODACAShenzhen Codaca Electronic Co.,Ltd 科达嘉电子深圳市科达嘉电子有限公司	CODACA

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UPA1770G

文件：66.28 Kbytes

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SWITCHINGDUALP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION TheµPA1770isaP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofportablemachines. FEATURES •Dualchiptype •Lowon-resistance RDS(on)1=37mΩMAX.(VGS=–4.5V,ID=–3.0A) RDS(on)2=39mΩMAX.(VGS=–4.0V,ID=–3.0A) R

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

VDX1770

文件：319.32 Kbytes

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DualE-PlaneTRLimiter

CPICommunications & Power Industries, Inc.

Cpi

CPI

VSAB1770

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MoldingPowerChoke

Outline: ▪AEC-Q200compliant ▪Magneticshieldedstructure:excellentresistancetoelectro Magmeticinterference(EMI) ▪Acompositestructure,ultralowbuzznoise ▪Lowloss,highefficiency,wideapplicationfrequency Features： ▪Corematerial:Alloypowder ▪Coreandwindingloss: See

CODACAShenzhen Codaca Electronic Co.,Ltd

科达嘉电子深圳市科达嘉电子有限公司

CODACA

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更多LM1770UMFSLASHNOPB供应商更新时间2025-7-18 16:00:00

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