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BD139	文件：360.44 Kbytes Page：2 Pages	HighCurrent TRANSISTOR(NPN) FEATURES •HighCurrent(1.5A) •LowVoltage(80V)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BD139	文件：1.10211 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighCurrent ●ComplementToBD136,BD138AndBD140	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BD139	文件：814.21 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BD139G	文件：86.22 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMedium-PowerSiliconNPNTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD139G	文件：42.47 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor PlasticMediumPowerSiliconNPNTransistor Thisseriesofplastic,medium−powersiliconNPNtransistorsaredesignedforuseasaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD139T	文件：216.89 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPowerTransistor NPNSILICONEPITAXIALPOWERTRANSISTOR ThesedevicesaredesignedasAudioAmplifier andDriversUtilizing.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BD139-TU	文件：1.68264 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighCurrent ComplementToBD136,BD138AndBD140	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BL-BX139	文件：203.01 Kbytes Page：2 Pages	BIGGERSIZELEDLAMPS(ROUNDTYPES) BIGGERSIZELEDLAMPS(ROUNDTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BL-BX139B	文件：203.01 Kbytes Page：2 Pages	BIGGERSIZELEDLAMPS(ROUNDTYPES) BIGGERSIZELEDLAMPS(ROUNDTYPES)	YSTONEYellow Stone Corp 早安股份早安股份有限公司	YSTONE
BLD139D	文件：219.39 Kbytes Page：4 Pages	NPNDSERIESTRANSISTORS	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 赛恩半导体深圳市赛恩半导体有限公司	SISEMIC
BLD139DL	文件：217.15 Kbytes Page：4 Pages	NPNLSERIESTRANSISTORS	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 赛恩半导体深圳市赛恩半导体有限公司	SISEMIC
BL-RUB139B	文件：151.76 Kbytes Page：2 Pages	CHIPMATERIAL:AIGAAS/GAAS	BRIGHTNINGBO BRIGHT ELECTRIC CO.,LTD 宁波明光宁波明光电器有限公司	BRIGHT
BSS139	文件：667.32 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSS139	文件：330.42 Kbytes Page：6 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelDepletionmodeHighdynamicresistance) ●VDS250V ●ID0.04A ●RDS(on)100Ω ●Nchannel ●Depletionmode ●Highdynamicresistance ●AvailablegroupedinVGS(th)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BSS139	文件：221.39 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-Signal-Transistor Features •N-channel •Depletionmode •dv/dtrated •AvailablewithVGS(th)indicatoronreel •Pb-freelead-plating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSS139D	文件：645.09 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL200mA,50V DESCRIPTION TypicalapplicationsareDC DCconverters, powermanagementinportableand batterypoweredproductssuchascomputers, printers,PCMCIAcards,cellularandcordless telephones. TheBSS 139DisavailableinSC88package FEATURES LowThresholdVoltage(VGS(th)th):0.	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
BSS139I	文件：1.55661 Mbytes Page：10 Pages	Small-SignalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSS139K	文件：141.52 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURES ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirementsandHalogenFree. ●Lowthresholdvoltage(VGS(th):0.5V...1.5V)makesitidealforlow voltageapplications.	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
BSS139W	文件：641.84 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFETN-CHANNEL200mA,50V DESCRIPTION TypicalapplicationsareDC DCconverters,power managementinportableandbatterypowered productssuchascomputers,printers,PCMCIA cards,cellularandcordlesstelephones. TheBSS 139WisavailableinSC70package FEATURES LowThresholdVoltage(VGS(th)th):0.5	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
BSS139Z	文件：137.01 Kbytes Page：3 Pages	0.2A,50VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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详细参数

型号：
LM139AWRQMLV
功能描述：
校验器 IC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
输出类型：
Push-Pull
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
1.1 V
补偿电压（最大值）：
6 mV
电源电流（最大值）：
1350 nA
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SC-70-5
封装：
Reel

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更多LM139AWRQMLV供应商更新时间2024-5-21 14:14:00

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