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LM10502TLESLASHNOPB	文件：484.35 Kbytes Page：34 Pages	LM10502 Dual Buck LDO Power Management Unit 1FEATURES 2•TwoHighlyEfficientProgrammableBuck Regulators –IntegratedFETswithLowRDSON –BucksOperatewithTheirPhasesShiftedto ReducetheInputCurrentRippleand CapacitorSize –ProgrammableOutputVoltageviatheSPI interface –OvervoltageandUndervoltageLockout –Aut	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
LM10502TLESLASHNOPB	文件：932.91 Kbytes Page：35 Pages	Dual Buck LDO Power Management Unit	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LM10502TLESLASHNOPB.A	文件：484.35 Kbytes Page：34 Pages	Marking：V076；Package：DSBGA；LM10502 Dual Buck LDO Power Management Unit 1FEATURES 2•TwoHighlyEfficientProgrammableBuck Regulators –IntegratedFETswithLowRDSON –BucksOperatewithTheirPhasesShiftedto ReducetheInputCurrentRippleand CapacitorSize –ProgrammableOutputVoltageviatheSPI interface –OvervoltageandUndervoltageLockout –Aut	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
LM10502TLX/NOPB	文件：932.91 Kbytes Page：35 Pages	DualBuckLDOPowerManagementUnit	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LM10502TLXSLASHNOPB	文件：484.35 Kbytes Page：34 Pages	LM10502DualBuckLDOPowerManagementUnit 1FEATURES 2•TwoHighlyEfficientProgrammableBuck Regulators –IntegratedFETswithLowRDSON –BucksOperatewithTheirPhasesShiftedto ReducetheInputCurrentRippleand CapacitorSize –ProgrammableOutputVoltageviatheSPI interface –OvervoltageandUndervoltageLockout –Aut	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
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LM10502TLXSLASHNOPB.A	文件：484.35 Kbytes Page：34 Pages	LM10502DualBuckLDOPowerManagementUnit 1FEATURES 2•TwoHighlyEfficientProgrammableBuck Regulators –IntegratedFETswithLowRDSON –BucksOperatewithTheirPhasesShiftedto ReducetheInputCurrentRippleand CapacitorSize –ProgrammableOutputVoltageviatheSPI interface –OvervoltageandUndervoltageLockout –Aut	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
MRF10502	文件：76.36 Kbytes Page：2 Pages	Designedfor1025-1150MHzpulsecommonbaseamplifier Designedfor1025–1150MHzpulsecommonbaseamplifierapplicationssuchasTCAS,TACANandMode–Stransmitters. •GuaranteedPerformance@1090MHz OutputPower=500WattsPeak Gain=8.5dBMin,9.0dB(Typ) •100TestedforLoadMismatchatAllPhaseAngleswith10:1VSWR •Hermeti	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MRF10502	文件：188.36 Kbytes Page：6 Pages	MicrowavePulsePowerSiliconNPNTransistor	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MRF10502	文件：188.36 Kbytes Page：6 Pages	MicrowavePulsePowerSiliconNPNTransistor500W(peak),1025-1150MHz MicrowavePulsePowerSiliconNPNTransistor 500W(peak),1025–1150MHz Designedfor1025–1150MHzpulsecommonbaseamplifierapplicationssuchasTCAS,TACANandMode–Stransmitters. •Guaranteedperformance@1090MHz Outputpower=500Wpeak Gain=8.5dBmin,9.0dB(typ.) •100t	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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