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MURH10010	文件：342.71 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURH10010	文件：652.46 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURH10010R	文件：652.46 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURH10010R	文件：342.71 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT10010	文件：359.94 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT10010	文件：749.69 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT10010R	文件：749.69 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MURT10010R	文件：413.25 Kbytes Page：2 Pages	HIGHPOWER-SUPERFASTRECTIFIERS	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
MURT10010R	文件：359.94 Kbytes Page：3 Pages	SiliconSuperFastRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
OH10010	文件：45.76 Kbytes Page：2 Pages	GaAsHallDevice ■Features •Hallvoltage:typ.105mV(VC=6V,B=0.1T) •Inputresistance:typ.0.75kΩ •SatisfactorylinearityofGaAshallvoltagewithrespecttothemagneticfield •Smalltemperaturecoefficientofthehallvoltage:β≤−0.06/°C •Minitype(4-pin)packagewithpositioningprojec	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic

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