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MBRTA60030RL	文件：458.47 Kbytes Page：3 Pages	LowVFSiliconPowerSchottkyDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
NKE60030	文件：685.02 Kbytes Page：5 Pages	StandardRecoveryDiodes	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
SQM60030E	文件：223 Kbytes Page：10 Pages	AutomotiveN-Channel100V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQM60030E	文件：220.02 Kbytes Page：10 Pages	AutomotiveN-Channel40V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQM60030E	文件：215.85 Kbytes Page：9 Pages	AutomotiveN-Channel80V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQM60030E	文件：193.93 Kbytes Page：8 Pages	AutomotiveN-Channel80V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Packagewithlowthermalresistance •AEC-Q101qualifiedd •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SQM60030E	文件：194.86 Kbytes Page：8 Pages	AutomotiveN-Channel80V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUM60030E	文件：191.34 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel80V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUM60030E	文件：306.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.2mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SUM60030E	文件：195.08 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel80V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Maximum175°Cjunctiontemperature •VerylowQgdreducespowerlossfrompassing throughVplateau •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Powersupply -	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
LJ60030-A
制造商：
LITTELFUSE
制造商全称：
Littelfuse
功能描述：
Class J Fuse Blocks

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多LJ60030-A供应商更新时间2025-6-7 9:03:00

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