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LHA10009C	文件：1.34815 Mbytes Page：2 Pages	LSA/LHA SERIES FEATURES\| ®Excellentfrequencycharacteristics.\| ®Useofinsulatingmaterialhavingsuperiorflame\| resistance\| ®Availableeitherverticalmountingtype,orhorizontal\| mountingtype.\| APPLICATIONS\| @®Personalcomputersandperipherals.\| @Digitalequipments.\| ®Switching	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
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MJ10009	文件：214.7 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=500V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=40(Min)@IC=5A APPLICATIONS ·Inverters ·MotorControls ·SolenoidandRelayDrivers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MJ10009	文件：101.12 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORSWITHBASE-EMITTERSPEEDUPDIODE TheMJ10008andMJ10009darlingtontransistorsaredesignedforhigh-voltage,high-speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperatedswitch-modeapplicationssuchas: FEATURES: ContinuousCollectorCurrent-lc=20A Sw	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MJ10009	文件：769 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPowerDarlingtonTransistor NPNSiliconPowerDarlingtonTransistor	AMMSEMIAmerican Microsemiconductor 美国微半导体有限公司	AMMSEMI
MJ10009	文件：235.91 Kbytes Page：8 Pages	NPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS SWITCHMODESeriesNPNSiliconPowerDarlingtonTransistorwithBase-EmitterSpeedupDiode TheMJ10009Darlingtontransistorisdesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchinginInductivecircuitswherefalltimeiscritical.Itisparticularlysuitedforlineoperatedswitchmodeapplicati	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MJ10009	文件：235.91 Kbytes Page：8 Pages	20AMPERENPNSILICONPOWERDARLINGTONTRANSISTORS450and500VOLTS175WATTS TheMJ10009Darlingtontransistorisdesignedforhigh–voltage,high–speed,powerswitchinginInductivecircuitswherefalltimeiscritical.Itisparticularlysuitedforlineoperatedswitchmodeapplicationssuchas: •SwitchingRegulators •Inverters •SolenoidandRelayDrivers •MotorCo	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MJ10009	文件：189.36 Kbytes Page：4 Pages	POWERTRANSISTORS(20A,400-500V,175W) TheMJ10008andMJ10009darlingtontransistorsaredesignedforhigh-voltage,high-speed,powerswitchingininductivecircuitswherefalltimeiscritical.Theyareparticularlysuitedforlineoperatedswitch-modeapplicationssuchas: FEATURES: ContinuousCollectorCurrent-lc=20A Sw	MOSPECMospec Semiconductor 统懋统懋半导体股份有限公司	MOSPEC

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