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LH5116-10

CMOS 16K (2K x 8) Static RAM

DESCRIPTION The LH5116/H are static RAMs organized as 2,048 × 8 bits. It is fabricated using silicon-gate CMOS process technology. It features high speed access in read mode using output enable (tOE). FEATURES • 2,048 × 8 bit organization • Access time: 100 ns (MAX.) • Power consumption:

文件:87.2 Kbytes 页数:10 Pages

SHARPSharp Corporation

夏普

LH5116-10

CMOS 16K (2K x 8)static RAM

Sharp

夏普

LH5116-10

Package:24-DIP(0.600",15.24mm);包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP

Sharp Microelectronics

Sharp Microelectronics

LH5116-10F

Package:24-DIP(0.600",15.24mm);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP

Sharp Microelectronics

Sharp Microelectronics

产品属性

  • 产品编号:

    LH5116-10

  • 制造商:

    Sharp Microelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM

  • 存储容量:

    16Kb(2K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    100ns

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    24-DIP(0.600",15.24mm)

  • 供应商器件封装:

    24-DIP

  • 描述:

    IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多LH5116-10供应商 更新时间2026-2-1 16:00:00