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LH5116-10	文件：87.2 Kbytes Page：10 Pages	CMOS 16K (2K x 8) Static RAM DESCRIPTION TheLH5116/HarestaticRAMsorganizedas2,048×8bits.Itisfabricatedusingsilicon-gateCMOSprocesstechnology.Itfeatureshighspeedaccessinreadmodeusingoutputenable(tOE). FEATURES •2,048×8bitorganization •Accesstime:100ns(MAX.) •Powerconsumption:	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）
LH5116-10	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：24-DIP（0.600"，15.24mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP	SharpMicroelectronicsSharp Microelectronics SharpMicroelectronicsSharp Microelectronics
LH5116-10F	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：24-DIP（0.600"，15.24mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP	SharpMicroelectronicsSharp Microelectronics SharpMicroelectronicsSharp Microelectronics

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LH5116-10

文件：87.2 Kbytes

Page：10 Pages

CMOS 16K (2K x 8) Static RAM

DESCRIPTION TheLH5116/HarestaticRAMsorganizedas2,048×8bits.Itisfabricatedusingsilicon-gateCMOSprocesstechnology.Itfeatureshighspeedaccessinreadmodeusingoutputenable(tOE). FEATURES •2,048×8bitorganization •Accesstime:100ns(MAX.) •Powerconsumption:

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美国夏普微电子公司（SMA）

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包装：管件封装/外壳：24-DIP（0.600"，15.24mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP

SharpMicroelectronicsSharp Microelectronics

LH5116-10F

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包装：托盘封装/外壳：24-DIP（0.600"，15.24mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP

SharpMicroelectronicsSharp Microelectronics

产品属性

产品编号：
LH5116-10
制造商：
Sharp Microelectronics
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM
存储容量：
16Kb（2K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
100ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
24-DIP（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
24-DIP
描述：
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP

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