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LGE3M35120B中文资料鲁光电子数据手册PDF规格书

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厂商型号

LGE3M35120B

功能描述

Silicon Carbide Power MOSFET

丝印标识

LGE3M35120B

封装外壳

TO-247-3

文件大小

4.86801 Mbytes

页面数量

9

生产厂商

LUGUANG

中文名称

鲁光电子

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-10 22:59:00

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LGE3M35120B规格书详情

特性 Features

• High Blocking Voltage

• High Frequency Operation

• Low on-resistance

• Fast intrinsic diode with low reverse recovery

• 100% avalanche tested

Benefits

• Higher System Efficiency

• Parallel Device Convenience without thermal runaway

• High Temperature Application

• Hard Switching & Higher Reliability

• Easy to drive

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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