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LGE3M20170Q

Silicon Carbide MOSFET

Features  High speed switching  Very low switching losses  High blocking voltage with low on-resistance  Temperature independent turn-off switching losses  Halogen free, RoHS compliant Benefits  Cooling effort reduction  Efficiency improvement  Reduced cooling requirements  Incr

文件:5.86796 Mbytes 页数:9 Pages

LUGUANG

鲁光电子

LGE7833

LG
BGA

LGM676-N2Q1-24-Z

OSRAM
SMD

OSRAM

艾迈斯欧司朗

上传:深圳市英瑞尔电子科技有限公司

LGR971

OSRAM
SMD

OSRAM

艾迈斯欧司朗

上传:深圳市宏誉半导体有限公司

LGS-8G52-A1

LS
LQFP144

LS

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更多LGE3M20170Q供应商 更新时间2025-10-10 11:06:00