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NESG340033	文件：224.8 Kbytes Page：12 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor DESCRIPTION TheNESG340033isanidealchoiceforlownoise,lowdistortionamplification. FEATURES •NF=0.65dBTYP.@VCE=3.3V,IC=15mA,f=1GHz •Po(1dB)=21dBmTYP.@VCE=3.3V,IC(set)=40mA,f=1GHz •OIP3=35.5dBmTYP.@VCE=3.3V,IC(set)=50mA,f=1GHz	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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文件：224.8 Kbytes

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NPNSiliconGermaniumRFTransistor

DESCRIPTION TheNESG340033isanidealchoiceforlownoise,lowdistortionamplification. FEATURES •NF=0.65dBTYP.@VCE=3.3V,IC=15mA,f=1GHz •Po(1dB)=21dBmTYP.@VCE=3.3V,IC(set)=40mA,f=1GHz •OIP3=35.5dBmTYP.@VCE=3.3V,IC(set)=50mA,f=1GHz

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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详细参数

型号：
LGE340033G
制造商：
Eaton Corporation
功能描述：
LGE 3 POLE, 400A LS BREAKER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多LGE340033G供应商更新时间2025-6-7 10:01:00

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