首页>LGB8204ATH>规格书详情
LGB8204ATH分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
LGB8204ATH |
| 参数属性 | LGB8204ATH 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：D2PAK, IGBT3 |
| 功能描述 | 400 V, 18 A N-Channel Ignition IGBT |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | D2PAK / TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
472.41 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | littelfuse |
| 企业简称 |
LITTELFUSE【力特】 |
| 中文名称 | 力特公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 10:25:00 |
| 人工找货 | LGB8204ATH价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
LGB8204ATH规格书详情
描述 Description
This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage and high current switching is required.
特性 Features
• Voltage Clamp Limits Stress Applied to Load
• Integrated ESD Diode Protection
• New Design Increases Unclamped Inductive Switching (UIS) Energy Per Area
• Low Threshold Voltage Interfaces Power Loads to Logic or Microprocessor Devices
• Low Saturation Voltage
• High Pulsed Current Capability
• AEC-Q101 Qualified
产品属性
- 产品编号：
LGB8204ATH
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
散装
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 4.5V，10A
- 输入类型：
逻辑
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D2PAK
- 描述：
D2PAK, IGBT3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
KEL |
2450+ |
9850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | |||
LRC/乐山 |
24+ |
SOD-323 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
2022+ |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||||
LRC |
22+ |
SOD-323 |
7288 |
原装现货 |
询价 | ||
LUCENT |
24+ |
11665 |
询价 | ||||
台产 |
23+ |
1008 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
LRC/乐山 |
23+ |
SOD-323 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
LRC/乐山 |
23+ |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
TDK |
23+ |
SMD被动器件正迈科技 |
800000 |
电感磁珠电容系列样品可出支持批量特价，原装元器件供应，支持开发样品 |
询价 | ||
台产 |
2020+ |
1008 |
4500 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 |
