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SUM60030E	文件：306.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.2mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SUM60030E	文件：195.08 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel80V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Maximum175°Cjunctiontemperature •VerylowQgdreducespowerlossfrompassing throughVplateau •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Powersupply -	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUP60030E	文件：151.04 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel80V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SUP60030E	文件：303.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SUP60030E	文件：151.96 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel80V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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