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LF412MJ	文件：1.21886 Mbytes Page：18 Pages	LF412QML Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 文件：1.21886 Mbytes 页数：18 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412MJ	文件：1.31551 Mbytes Page：16 Pages	LF412 Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 文件：1.31551 Mbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412MJ/883	文件：1.53078 Mbytes Page：20 Pages	丝印：LF412MJ；Package：CDIP(NAB)；LF412QML Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 1FEATURES 23• Input Offset Voltage Drift: 20 μV/°C (Max) • Low Input Bias Current: 50 pA (Typ) • Low Input Noise Current: 0.01 pA/√Hz (Typ) • Wide Gain Bandwidth: 2.7 MHz (Min) • High Slew Rate: 8V/μs (Min) • High Input Impedance: 1012Ω • Low Total Harmonic Distortion 文件：1.53078 Mbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412MJSLASH883	文件：1.53078 Mbytes Page：20 Pages	丝印：LF412MJ；Package：CDIP(NAB)；LF412QML Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 1FEATURES 23• Input Offset Voltage Drift: 20 μV/°C (Max) • Low Input Bias Current: 50 pA (Typ) • Low Input Noise Current: 0.01 pA/√Hz (Typ) • Wide Gain Bandwidth: 2.7 MHz (Min) • High Slew Rate: 8V/μs (Min) • High Input Impedance: 1012Ω • Low Total Harmonic Distortion 文件：1.53078 Mbytes 页数：20 Pages	TI 德州仪器	TI
LF412MJ/883	文件：565.24 Kbytes Page：13 Pages	Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 文件：565.24 Kbytes 页数：13 Pages	NSC 国半	NSC
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详细参数

型号：
LF412MJ
制造商：
TI
制造商全称：
Texas Instruments
功能描述：
LF412QML Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier

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