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GB353P	文件：1.31671 Mbytes Page：3 Pages	35AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
GB-353RHC	文件：42.46 Kbytes Page：1 Pages	Round-HelmetTypeLEDLamps(5mm)	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
GB-353RHD	文件：42.46 Kbytes Page：1 Pages	Round-HelmetTypeLEDLamps(5mm)	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
GB-353RHT	文件：42.46 Kbytes Page：1 Pages	Round-HelmetTypeLEDLamps(5mm)	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
GB-353SD	文件：42.46 Kbytes Page：1 Pages	Round-HelmetTypeLEDLamps(5mm)	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
GB-353YC	文件：42.46 Kbytes Page：1 Pages	Round-HelmetTypeLEDLamps(5mm)	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
GB-353YD	文件：42.46 Kbytes Page：1 Pages	Round-HelmetTypeLEDLamps(5mm)	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
GB-353YT	文件：42.46 Kbytes Page：1 Pages	Round-HelmetTypeLEDLamps(5mm)	LUCKY-LIGHT Lucky Light Electronic	LUCKY-LIGHT
HF353	文件：1.93062 Mbytes Page：12 Pages	SignalandRFRelays	MACOM Tyco Electronics	MACOM
HF353	文件：645.92 Kbytes Page：6 Pages	RFSignalRelays RFSignalRelays HF3Relay ■Y-Design ■FrequencyrangeDCto3GHz ■Impedance50Ωor75Ω ■Smalldimensions(14.6x7.2x10mm) ■1formCcontact(1changeovercontact) ■Immersioncleanable ■Lowpowerconsumption(≤140mW) Typicalapplications Cablemodemsandlinecards/CATV,Tabs,m	MACOM Tyco Electronics	MACOM
IRF353	文件：117.33 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,15A,350V/400V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF353	文件：212.49 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRF353	文件：48.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF353	文件：91.64 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFP353	文件：215.5 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●ImprovedInducttiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3Ppackage	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRFP353	文件：67.81 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP353R	文件：170.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS353	文件：264.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISCNH353P	文件：304.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KF353	文件：34.63 Kbytes Page：6 Pages	DualOperationalAmplifier(JFET) Description TheKF353isaJFETinputoperationalamplifierwithaninternallycompensatedinputoffsetvoltage.TheJFETinputdeviceprovideswidebandwidth,lowinputbiascurrentsandoffsetcurrents. Features •Internallytrimmedoffsetvoltage:10mV •Lowinputbiascurrent:50pA •Wide	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
LF353N/NOPB
功能描述：
运算放大器 - 运放 WIDE BW DUAL JFET INPUT OP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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