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LR024N	文件：162.2 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel	IRF International Rectifier	IRF
LR024N	文件：496.49 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisCellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
LR024N	文件：1.04325 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •Materialcategorization: Fordefinitionsofcompliancepleasesee APPLICATIONS •DC/DCConverters •DC/ACInverters •MotorDrives	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LR024N	文件：304.82 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewel	IRF International Rectifier	IRF
LR024N	文件：328.44 Kbytes Page：13 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-ResistanceFullyAvalancheRated Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisCellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowonresistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRF International Rectifier	IRF
LR024N	文件：785.8 Kbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=50A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
LU024	文件：960.31 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSupply -SecondarySynchronousRectification •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LU024N	文件：960.24 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSupply -SecondarySynchronousRectification •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LU024Z	文件：960.19 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSupply -SecondarySynchronousRectification •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
LUC-024SXXXDSP	文件：476.35 Kbytes Page：10 Pages	24WConstantCurrentIP20Driver Features 0-10VDimmable(CompatiblewithPassiveDimmers) ConstantCurrentOutput HighEfficiency ActivePowerFactorCorrection All-AroundProtection:OVP,SCPandOpenLamp Protection Class2&SELVOutput	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

详细参数

型号：
LED024Y
制造商：
BACO Controls Inc

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	LED-04-1206GC	NOVA	2020+		5000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	LED05	N/A	23+	SOP-8	13000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市振宏微科技有限公司	LED05VERTE	NOBR	23+	NA	285	专做原装正品,假一罚百!	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	LED0603	红色超高亮贴片	25+23+	SMD	40541	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
深圳市信科微科技有限公司	LED0603				63200		询价
深圳市佳杰伟业科技有限公司	LED0603	EVERLIGHT	2410+	NA	6680	原装正品公司现货实单来谈	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	LED-0603	佰鸿	24+	SMD	20000	一级代理原装现货假一罚十	询价
深圳市赛美科科技有限公司	LED0603()	Nichia		ROHS	56520	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市硅虎电子有限公司	LED0603(蓝色)	BRIGHTKING	21+	SMD	300	进口原装公司现货	询价
深圳市益百分电子有限公司	LED060327-21/GHC-YR2T1/3C3K	亿光	15+	SMD	0	原装现货价格有优势量大可以发货	询价

更多LED024Y供应商更新时间2025-5-21 15:51:00

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