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LC801中文资料POLYFET数据手册PDF规格书

LC801
厂商型号

LC801

功能描述

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

文件大小

37.48 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Polyfet RF Devices
企业简称

POLYFET

中文名称

Polyfet RF Devices官网

原厂标识
POLYFET
数据手册

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更新时间

2025-8-2 23:00:00

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LC801规格书详情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Militry Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI,

Laser Driver and others.

Polyfet process features low feedback and output capacitances resulting in high Ft transistors with high input impedance and high efficiency.

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

20.0 Watts Single Ended

Package Style AC

HIGH EFFICIENCY, LINEAR HIGH GAIN, LOW NOISE

ROHS COMPLIANT

产品属性

  • 型号:

    LC801

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全称:

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

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