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LC35V1000BM	文件：178.32 Kbytes Page：9 Pages	Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM Overview The LC35V1000BM and LC35V1000BTS-70U are asynchronous silicon gate CMOS static RAM devices with a 131,072-word by 8-bit structure. They provide two chip enable pins (CE1 and CE2) for device select/deselect control and one output enable pin (OE) for output control. They feature high speed 文件：178.32 Kbytes 页数：9 Pages	SANYO 三洋	SANYO
LC35V1000BM	文件：300 bytes Page：1 Pages	Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
LC4032V75T44-10I	文件：0 bytes Page：0 Pages	LATTICE QFP48	Lattice 莱迪思上传：深圳市宏世佳电子科技有限公司	Lattice
LC4032V-75TN-10I	文件：0 bytes Page：0 Pages	LATTICE/莱迪斯 TQFP48	LATTICE/莱迪斯上传：深圳市晨豪科技有限公司	LATTICE/莱迪斯
LC4032V-75TN44	文件：0 bytes Page：0 Pages	LATTICE 44-TQFP	Lattice 莱迪思上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	Lattice

更多LC35V1000BM供应商更新时间2025-10-8 15:52:00