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LC35V1000BM	文件：178.32 Kbytes Page：9 Pages	Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM Overview TheLC35V1000BMandLC35V1000BTS-70UareasynchronoussilicongateCMOSstaticRAMdeviceswitha131,072-wordby8-bitstructure.Theyprovidetwochipenablepins(CE1andCE2)fordeviceselect/deselectcontrolandoneoutputenablepin(OE)foroutputcontrol.Theyfeaturehighspeed	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

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LC35V1000BM

文件：178.32 Kbytes

Page：9 Pages

Asynchronous Silicon Gate 1M (131,072 words x 8 bits) SRAM

Overview TheLC35V1000BMandLC35V1000BTS-70UareasynchronoussilicongateCMOSstaticRAMdeviceswitha131,072-wordby8-bitstructure.Theyprovidetwochipenablepins(CE1andCE2)fordeviceselect/deselectcontrolandoneoutputenablepin(OE)foroutputcontrol.Theyfeaturehighspeed

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

SANYO

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更多LC35V1000BM供应商更新时间2025-5-22 14:53:00

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