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LA	文件：417.88 Kbytes Page：13 Pages	型号：AP2129DN-1.0TRG1；Package：DFN-1.5x2-6；300mA HIGH SPEED, EXTREMELY LOW NOISE CMOS LDO REGULATOR Features -WideOperatingVoltage:1.8Vto6V -HighOutputVoltageAccuracy:±2 -HighRippleRejection:65dB@f=1kHz,45dB@f=10kHz -LowStandbyCurrent:0.1μA -LowQuiescentCurrent:60μATypical -LowOutputNoise:60μVrms -ShortCurrentLimit:50mA -OverTemperatureProtection	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
LA	文件：273.07 Kbytes Page：7 Pages	型号：BF550；Package：SOT23；nullPNP medium frequency transistor FEATURES •Lowcurrent(max.25mA) •Lowvoltage(max.40V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司
LA	文件：856.63 Kbytes Page：12 Pages	型号：IQDH35N03LM5CGSC；Package：PG-WHTFN-9；MOSFET OptiMOS™ 5 Power‑Transistor, 30 V Features •N‑channel,logiclevel •Verylowon‑resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •Optimizeddesignfordoublesidecooling •100%avalanchetested •Pb‑freeleadplating;RoHScompliant •Halogen‑freeaccordingtoIEC61249‑2‑21	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
LA	文件：161.22 Kbytes Page：13 Pages	型号：NL17SZ14DFT2G；Package：SC-88A；Single Inverter with Schmitt Trigger TheNL17SZ14isasingleinverterwithSchmitttriggerintiny footprintpackages. Features •Designedfor1.65Vto5.5VVCCOperation •3.7nstPDatVCC=5V(typ) •Input/OutputOvervoltageTolerantupto5.5V •IOFFSupportsPartialPowerDownProtection •Source/Sink24mAat3.0	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LA	文件：161.22 Kbytes Page：13 Pages	型号：NL17SZ14DFT2G-L22038；Package：SC-88A；Single Inverter with Schmitt Trigger TheNL17SZ14isasingleinverterwithSchmitttriggerintiny footprintpackages. Features •Designedfor1.65Vto5.5VVCCOperation •3.7nstPDatVCC=5V(typ) •Input/OutputOvervoltageTolerantupto5.5V •IOFFSupportsPartialPowerDownProtection •Source/Sink24mAat3.0	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LA	文件：161.22 Kbytes Page：13 Pages	型号：NL17SZ14XV5T2G；Package：SOT-553；Single Inverter with Schmitt Trigger TheNL17SZ14isasingleinverterwithSchmitttriggerintiny footprintpackages. Features •Designedfor1.65Vto5.5VVCCOperation •3.7nstPDatVCC=5V(typ) •Input/OutputOvervoltageTolerantupto5.5V •IOFFSupportsPartialPowerDownProtection •Source/Sink24mAat3.0	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LA	文件：161.22 Kbytes Page：13 Pages	型号：NL17SZ14XV5T2G-L22087；Package：SOT-553；Single Inverter with Schmitt Trigger TheNL17SZ14isasingleinverterwithSchmitttriggerintiny footprintpackages. Features •Designedfor1.65Vto5.5VVCCOperation •3.7nstPDatVCC=5V(typ) •Input/OutputOvervoltageTolerantupto5.5V •IOFFSupportsPartialPowerDownProtection •Source/Sink24mAat3.0	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LA	文件：161.22 Kbytes Page：13 Pages	型号：NLV17SZ14DFT2G；Package：SC-88A；Single Inverter with Schmitt Trigger TheNL17SZ14isasingleinverterwithSchmitttriggerintiny footprintpackages. Features •Designedfor1.65Vto5.5VVCCOperation •3.7nstPDatVCC=5V(typ) •Input/OutputOvervoltageTolerantupto5.5V •IOFFSupportsPartialPowerDownProtection •Source/Sink24mAat3.0	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LA	文件：268.67 Kbytes Page：5 Pages	型号：PE1605S1Q_R1_00001；Package：DFN0603-2L；ULTRA LOW CAPACITANCE ESD PROTECTION Features IEC61000-4-2(ESD):±20kVAir,±15kVContact IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning):3A(8/20uS) Lowleakagecurrent,maximumof50nAatratedvoltage Lowclampingvoltage LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249s	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
LA	文件：151.01 Kbytes Page：12 Pages	型号：PESD5V0U1UB；Package：SOD523；Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes 1.1Generaldescription UltralowcapacitanceunidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesin smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesignedtoprotectonesignal linefromthedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features 1.3Applications Table1.P	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	AP2129K1.0TRG1	Diodes	22+	SOT235	9000	原厂渠道,现货配单	询价
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