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L8701P中文资料POLYFET数据手册PDF规格书

L8701P
厂商型号

L8701P

功能描述

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

文件大小

42.13 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Polyfet RF Devices
企业简称

POLYFET

中文名称

Polyfet RF Devices官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-24 20:00:00

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L8701P规格书详情

General Description

Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.

Polyfet™ process features low feedback and output capacitances, resulting in high Ft transistors with high input impedance and high efficiency.

SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

30.0 Watts Single Ended Package Style S08 P

HIGH EFFICIENCY, LINEAR HIGH GAIN, LOW NOISE ROHS COMPLIANT

产品属性

  • 型号:

    L8701P

  • 制造商:

    POLYFET

  • 制造商全称:

    Polyfet RF Devices

  • 功能描述:

    SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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